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型号 SPB80N06S-08
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
SPB80N06S-08 PDF
代理商 SPB80N06S-08
标准包装 1,000
系列 SIPMOS®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 7.7 毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 240µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 187nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3660pF @ 25V
功率 - 最大 300W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000054056
SP000084808
SPB80N06S08T
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